В течение нескольких лет люминесцентные свойства сульфатов щелочных и щелочноземельных металлов исследовались в связи с их практическим применением в качестве активных элементов твердотельных термолюминесцентных дозиметров ионизирующих излучений. Однако, собственная люминесценция в этих системах целенаправленно не исследовалась. В работе [1] рентгенолюминесценция с максимумом 3,8 эВ, возникающая в кристалле 2 4 K SO при температуре 4,2 К, связывается с излучением автолокализованного экситона. В ряде кристаллов 2 4 Cs SO , 2 4 K SO и 2 4 Rb SO недавно обнаружена быстрая люминесценция (η<2 ns) с максимумом 3,8 эВ и 5,8 эВ при возбуждении наносекундными импульсами электронных пучков. По предположению авторов [2] эти быстрые и температуроустойчивые полосы излучений связаны с межзонными электронными переходами между двумя подзонами валентной зоны, разделенных энергетической щелью. Межзонные электронные переходы осуществляются в результате образования дырок в нижней подзоне валентной зоны. При переходе электронов из нижней подзоны в зону проводимости образуются дырки (энергия необходимая для перехода электронов составляет 15,5-21,5 эВ).
2014
*Туркумбаев Жанат Жанатович,Губаева Алия Алибековна, Муртазин Асет Русланович, Тынысбаева Айым Мукатаевна